机译:通过选择性区域外延制备的位点控制的InGaN纳米点的宽发光起源(phys.status solidi a 3/2014)
机译:选择性区域外延制造的位控InGaN纳米点的广泛发光起源
机译:勘误表:“通过选择性区域金属有机气相外延制造的具有单个InGaAs / GaAs量子阱的六角形纳米柱的尺寸依赖性光致发光” [Appl。物理来吧89,203110(2006)]
机译:Mn_(0.98)Fe_(0.02)CoGe的磁性和磁热效应状态Solidi A 211,第5号,1101-1105(2014)]
机译:选择性区域外延形成ingAn位点控制纳米结构的光致发光研究
机译:通过选择性区域外延制备的位点控制的InGaN纳米点的广泛发光的起源